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1N758DUR-1E3

更新时间: 2024-09-29 15:41:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 512K
描述
Zener Diode, 10V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

1N758DUR-1E3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.28Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:17 Ω
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:10 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:1%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N758DUR-1E3 数据手册

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