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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.43 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N757T-83 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N757T-84 | ROHM |
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Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N757T-85 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N757T-87Y | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N757T-88 | ROHM |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
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| 1N757TR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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| 1N757TR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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| 1N757UR | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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| 1N757UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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| 1N757UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLA |
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