5秒后页面跳转
1N6381LEADFREE PDF预览

1N6381LEADFREE

更新时间: 2024-02-18 06:44:58
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,

1N6381LEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.25
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:52.9 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N6381LEADFREE 数据手册

  
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  
www.centralsemi.com  

与1N6381LEADFREE相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N6381RL4 ONSEMI 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

获取价格

1N6381RL4 MOTOROLA Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE 4

获取价格

1N6381RL4G ONSEMI 1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors

获取价格

1N6381TR MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 45V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLA

获取价格

1N6381TRE3 MICROSEMI Trans Voltage Suppressor Diode, 45V V(RWM), Unidirectional,

获取价格

1N6382 MOTOROLA Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional

获取价格