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1N6295A

更新时间: 2024-02-02 17:20:41
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6295A 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-201AE
包装说明:PLASTIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.15
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压:110 V最小击穿电压:90 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-201AEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:81 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6295A 数据手册

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1N6295A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1.5KE100 BL Galaxy Electrical

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81V,1500W, TVS

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