5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.08 | Is Samacsys： | N |
| 最小击穿电压： | 22.8 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6280A/1 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| 1N6280A/100 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280A/100-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su |
|
| 1N6280A/4 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| 1N6280A/4F | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280A/4F-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su |
|
| 1N6280A/51-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su |
|
| 1N6280A/53 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 1N6280A/54-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Su |
|
| 1N6280A/56 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
