1N6263

更新时间： 2024-01-03 21:58:02

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管小信号肖特基二极管
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描述
SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

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1N6263 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.001 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1N6263 数据手册

1N 6263

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

DESCRIPTION

Metal to silicon junction diode featuring high break-

down, low turn-on voltage and ultrafast switching.

Primarly intended for high level UHF/VHF detection

and pulse application with broad dynamic range.

DO 35

(Glass)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

V_RRM

I_F

Parameter

Repetitive Peak Reverse Voltage

Value

Unit

Forward Continuous Current*

T = 25 C

I_FSM

Surge non Repetitive Forward Current*

Storage and Junction Temperature Range

t_p1s

≤

T_stg

T_j

- 65 to 200

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering during 10s at 4mm

from Case

230

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

C/W

R_th(j-a)

Junction-ambient*

400

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

V_BR

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

T_amb= 25 C

I = 10 A

V_F* *

0.41

T_amb= 25 C

I_F= 1mA

I_F= 15mA

V_R= 50V

T_amb= 25 C

I_R* *

0.2

T_amb= 25 C

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Symbol

Test Conditions

V_R= 0V

Min.

Typ.

Max.

2.2

Unit

T_amb= 25 C

f = 1MHz

100

T_amb= 25 C

I_F= 5mA

Krakauer Method

* On infinite heatsink with 4mm lead length

** Pulse test: t_p≤ 300µs δ < 2%.

Matched batches available on request. Test conditions (forward voltage and/or capacitance) according to customer specification.

August 1999 Ed: 1A

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