1N5926BP-BP-HF

更新时间： 2024-01-11 20:43:49

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美微科 - MCC		二极管齐纳二极管测试
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4页	125K
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Zener Diode,

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1N5926BP-BP-HF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS, DO-41, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.09
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AL	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	11 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	20%
工作测试电流：	34.1 mA	Base Number Matches：	1

1N5926BP-BP-HF 数据手册

1N5926B

THRU

1N5956B

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

1.5 Watt

Zener Diode

11 to 200 Volts

Glass Passivated Junction

Low Profile Package

Low Inductance

Built-in Strain Relief

DO-41G

Maximum Ratings & Thermal Characteristics

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Value

Unit

Forward Voltage

at I^F=200mA

V^F

1.5

Power

Dissipation at

T_L= 75°C

1.5⁽¹⁾

P_tot

Cathode

Mark

Pwak forward

Surge Current

8.3ms single half

sine/square wave

Junction

I _FSM

Amps

-55 ~ +150

^oC

Temperature

Storage

DIMENSIONS

INCHES

MIN

M M

Temperature

Range

T_STG

DIM

NOTE

MAX

0.205

0.107

0.034

-----

MIN

4.10

MAX

7.60

3.60

0.90

-----

0.166

0.080

0.026

1.000

2.00

Diameter

0.70

25.40

www.mccsemi.com

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