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1N5822-E3/72

更新时间： 2024-01-10 14:13:34

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威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	184K
描述
DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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技术参数
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1N5822-E3/72 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.28
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE

1N5822-E3/72 数据手册

1N5820, 1N5821 & 1N5822

Vishay General Semiconductor

1,000

= 125°C

= 25 °C

f=1.0 MH

Pulse Width = 300 µs

1% Duty Cycle

=50mVp-p

sig

100

= 25°C

0.1

0.01

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.0

100

Instantaneous Forward Voltage (V)

Reverse Voltage (V)

Figure 5. Typical Junction Capacitance

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

100

= 125°C

= 75°C

0.1

= 25°C

0.01

0.001

0.1

100

0.1

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

t, Pulse Duration (sec.)

Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance

Package outline dimensions in inches (millimeters)

DO-201AD

1.0 (25.4)

Min.

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

Dia.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

1.0 (25.4)

Min.

0.052 (1.32)

0.048 (1.22)

Dia.

Document Number 88526

13-Jul-05

www.vishay.com

1 234

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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