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1N5442C

更新时间: 2024-01-23 00:38:29
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NJSEMI 二极管变容二极管测试
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1页 167K
描述
DIODE

1N5442C 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.09
Is Samacsys:N最小击穿电压:30 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管电容容差:1%最小二极管电容比:2.5
标称二极管电容:8.2 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:450最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Varactors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N5442C 数据手册

  

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