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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N5232BRR2
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1N5232BRR2

更新时间： 2024-01-22 09:01:36
品牌 Logo 应用领域
TAK_CHEONG 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
10页 473K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-204AH, 2 PIN

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1N5232BRR2 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：30 Ω
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：2.4 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

1N5232BRR2 数据手册

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1N5221B through 1N5281B Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25ºC unless otherwise noted, VF = 1.1 V Max @ IF = 200mA for all types)  
(Note 11.)  
(Note 12.)  
Zener Voltage  
VZ (Volts)  
Nom  
Zener Impedance  
Leakage Current  
IR @ VR  
θVZ  
@ IZT  
(mA)  
ZZT @ IZT  
ZZK @ IZK  
(Note 13.)  
Device  
Device  
Min  
Max  
(mA)  
(Volts)  
(%/ºC)  
Marking  
(Ω)  
(Ω)  
(µA)  
(Note 10.)  
1N5266B  
1N5267B  
1N5268B  
1N5269B  
1N5270B  
1N5271B  
1N5272B  
1N5273B  
1N5274B  
1N5275B  
1N5276B  
1N5277B  
1N5278B  
1N5279B  
1N5280B  
1N5281B  
1N5266B  
1N5267B  
1N5268B  
1N5269B  
1N5270B  
1N5271B  
1N5272B  
1N5273B  
1N5274B  
1N5275B  
1N5276B  
1N5277B  
1N5278B  
1N5279B  
1N5280B  
1N5281B  
64.6  
71.25  
77.9  
82.65  
86.45  
95  
68  
75  
71.4  
78.75  
86.1  
91.35  
95.55  
105  
1.8  
1.7  
230  
270  
1600  
1700  
2000  
2200  
2300  
2600  
3000  
4000  
4500  
4500  
5000  
5500  
5500  
6000  
6500  
7000  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
52  
56  
+0.097  
+0.098  
+0.098  
+0.099  
+0.099  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
+0.11  
82  
1.5  
330  
62  
87  
1.4  
370  
68  
91  
1.4  
400  
69  
100  
110  
120  
130  
140  
150  
160  
170  
180  
190  
200  
1.3  
500  
76  
104.5  
114  
115.5  
126  
1.1  
750  
84  
1
900  
91  
123.5  
133  
136.5  
147  
0.95  
0.9  
1100  
1300  
1500  
1700  
1900  
2200  
2400  
2500  
99  
106  
114  
122  
129  
137  
144  
152  
142.5  
152  
157.5  
168  
0.85  
0.8  
161.5  
171  
178.5  
189  
0.74  
0.68  
0.66  
0.65  
180.5  
190  
199.5  
210  
10. TOLERANCE AND TYPE NUMBER DESIGNATION (VZ)  
The type numbers listed have a standard tolerance on the nominal zener voltage of ±5%.  
11. ZENER VOLTAGE (VZ) MEASUREMENT  
Nominal zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (TL) at 30°C  
±1°C and 3/8” lead length.  
12. ZENER IMPEDANCE (ZZ) DERIVATION  
ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits  
are for IZ(AC) = 0.1 IZ(DC) with AC frequency = 60Hz.  
13. TEMPERATURE COEFFICIENT (θVZ  
)
Test conditions for temperature coefficient are as follows:  
A. IZT = 7.5mA, T1 = 25°C, T2 = 125°C (1N5221B through 1N5242B)  
B. IZT = Rated IZT, T1 = 25°C, T2 = 125°C (1N5243B through 1N5281B)  
Device to be temperature stabilized with current applied prior to reading breakdown voltage at the specified ambient  
temperature.  
http://www.takcheong.com  
4
1234567...10

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N5232B-T DIODES 500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

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1N5232BT/R NXP DIODE 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALE

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1N5232BT-10 ROHM Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35

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