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1N5222B-TB

更新时间： 2024-02-29 23:44:00

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WTE		测试二极管
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5页	87K
描述
Zener Diode

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1N5222B-TB 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.56	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	30 Ω
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	膝阻抗最大值：	1250 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	2.5 V
最大反向电流：	100 µA	反向测试电压：	1 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
电压温度Coeff-Max：	-2.125 mV/ °C	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

1N5222B-TB 数据手册

1N5221B – 1N5261B

WON-TOP ELECTRONICS

5V6 6V8 8V2

6V2 7V5

0.5

T_J= 25°C

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

9V1

Measured at lead length

9.5mm from case.

0.4

0.3

0.2

0.1

105

140

175

210

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Power Derating Curve

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics

39 47

T_J= 25°C

10 15 20 25 30 35 40 45 50

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 3 Zener Breakdown Characteristics

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 4 Zener Breakdown Characteristics

1000

100

1000

100

T_J= 25°C

f = 1MHz

@ 0V Bias

@ 1V Bias

T_J= 100°C

T_J= 25°C

0.4

0.6

0.8

1.0

100

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 5 Typical Forward Characteristics

V_Z, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 6 Junction Capacitance vs. Nominal Zener Voltage

www.wontop.com

Revision: October, 2015

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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