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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 325 Ω | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 标称参考电压： | 120 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 反向测试电压： | 91.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 120 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 5 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5097A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 120V 5% 3W 2-Pin Case A |
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| 1N5098 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS |
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| 1N5098 | NJSEMI |
获取价格 |
3-WATT ZENER DIODES |
|
| 1N5098A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 130V 5% 3W 2-Pin Case A |
|
| 1N5099 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| 1N5099 | NJSEMI |
获取价格 |
3-WATT ZENER DIODES |
|
| 1N50A | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| 1N50AG-TM3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| 1N50AL-TM3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| 1N50G-T92-B | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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