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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.58 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 50 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 12.8 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.64 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 4 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4909AE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
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| 1N4909E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
|
| 1N4910 | MICROSEMI |
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12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4910 | CDI-DIODE |
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TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4910 | NJSEMI |
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Diode |
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| 1N4910 | DIGITRON |
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Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS B |
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| 1N4910-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
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| 1N4910A | DIGITRON |
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Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS B |
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| 1N4910A | NJSEMI |
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Diode Zener Single 12.8V 5% 500mW 2-Pin DO-35 |
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| 1N4910A | MICROSEMI |
获取价格 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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