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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 标称参考电压： | 12.8 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.128 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4899E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
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| 1N49 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N490 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4900 | DIGITRON |
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Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 12.16; Max TMS B |
|
| 1N4900 | NJSEMI |
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Diode |
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| 1N4900 | MICROSEMI |
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12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4900 | CDI-DIODE |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4900-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 12.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, |
|
| 1N4900A | MICROSEMI |
获取价格 |
12.8 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4900A | CDI-DIODE |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
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