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1N4777-3PCTTR PDF预览

1N4777-3PCTTR

更新时间： 2024-01-03 12:49:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 255K
描述
Zener Diode,

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1N4777-3PCTTR 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8Base Number Matches：1

1N4777-3PCTTR 数据手册

 浏览型号1N4777-3PCTTR的Datasheet PDF文件第1页 
1N4775 thru 1N4784A  
8.5 Volt Temperature Compensated Zener  
Reference Diodes  
S C O T T S D A L E D I V I S I O N  
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC, unless otherwise specified  
MAXIMUM  
JEDEC  
TYPE  
ZENER  
VOLTAGE  
(Note 5)  
ZENER  
TEST  
MAXIMUM  
DYNAMIC  
MAXIMUM  
REVERSE  
CURRENT  
IR @ 6 V  
IR  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
TEMPERATURE  
RANGE  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COMPENSIATIONS  
NUMBER  
CURRENT  
IMPEDANCE  
(Note 3 & 5)  
α
VZ  
VZ @ IZT  
IZT  
ZZT  
∆VZT  
mV  
64  
132  
32  
66  
13  
26  
6
VOLTS  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
8.5  
mA  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
OHMS  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
µA  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
oC  
%/oC  
0.01  
1N4775  
0 to + 75  
1N4775A  
1N4776  
-55 to +100  
0 to + 75  
0.01  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.0005  
0.0005  
0.01  
1N4776A  
1N4777  
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4777A  
1N4778  
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4778A  
1N4779  
13  
3
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4779A  
1N4780  
7
-55 to +100  
0 to + 75  
64  
132  
32  
66  
13  
26  
6
1N4780A  
1N4781  
-55 to +100  
0 to + 75  
0.01  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
0.001  
0.0005  
0.0005  
1N4781A  
1N4782  
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4782A  
1N4783  
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4783A  
1N4784  
13  
3
-55 to +100  
0 to + 75  
1N4784A  
7
-55 to +100  
*JEDEC Registered Data.  
NOTES:  
1.  
Designate Radiation Hardened devices with “RH” prefix instead of “1N,” i.e., RH4784A. Consult factory for TX, TXV or  
JANS equivalent SCDs.  
2.  
3.  
4.  
5.  
Measured by superimposing IZ ac rms on IZ dc @ 25oC where IZ ac rms = 10% IZ dc.  
Maximum allowable change between any two discrete temperatures over the specified temperature change.  
When ordering devices with a tighter tolerance than specified, use a nominal center voltage of 8.4 volts.  
Voltage measurements to be performed 15 seconds after application of dc current.  
PACKAGE DIMENSIONS  
All dimensions in: INCH  
mm  
Copyright 2003  
8-19-2003 REV A  
Microsemi  
Scottsdale Division  
Page 2  
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503  
12

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