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1N4777A

更新时间: 2024-02-06 15:11:36
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿测试
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
8.5 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N4777A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
其他特性:TEMPERATURE COMPENSATED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.5 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.17 mV/ °C工作测试电流:0.5 mA
Base Number Matches:1

1N4777A 数据手册

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1N4777ATR MICROSEMI Zener Diode, 8.5V V(Z), 5%, 0.25W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PIN

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1N4777AV STMICROELECTRONICS 8.5V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE

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