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1N4775

更新时间: 2024-02-25 06:36:44
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CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
8.5 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5%

1N4775 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
其他特性:TEMPERATURE COMPENSATED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.5 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.85 mV/ °C工作测试电流:0.5 mA
Base Number Matches:1

1N4775 数据手册

 浏览型号1N4775的Datasheet PDF文件第1页 
1N4775 thru 1N4784A  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
T , Lead temperature (C°) 3/8” from body  
L
FIGURE 2  
POWER DERATING CURVE  
+.0015  
+.0010  
+.0005  
0
-.0005  
-.0010  
-.0015  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
OPERATING CURRENT l  
(mA)  
ZT  
FIGURE 4  
TYPICAL CHANGE OF TEMPERATURE COEFFICIENT  
WITH CHANGE IN OPERATING CURRENT  

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