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1N4769

更新时间： 2024-02-16 06:55:32

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鲁光 - LGE		测试二极管
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1N4769 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.41
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AA	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	9.1 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：	0.0455 mV/ °C	最大电压容差：	5%
Base Number Matches：	1

1N4769 数据手册

1N4728-1N4764

Zener Diodes

POWER DISSIPATION: 1.0 W

DO-41

Features

Silicon planar power zener diodes

For use in stabilizing and clipping circuits with high

power rating.

Standard zener voltage tolerance is ±10%. Add

suffix "A" for ±5% tolerance. other zener voltage

and tolerances are available upon request.

Mechanical Data

Case:DO-41

Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208

Polarity: cathode band

Marking: type number

Approx. weight: 0.35 grams.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener current (see Table "Characteristics")

Pow er dissipation @ T_amb50

Z-current

1.0¹⁾

P_V/V_Z

P_Diss

I_Z

Junction temperature

T_J

200

Storage temperature range

Junction ambient I=9.5mm(3/8 ), T_L=constant

T_s

-55---+200

100

R_ThJA

K/W

SYMBOL

V_F

MIN

TYP

MAX

1.2

UNIT

Forw ard voltage at I_F=200mA

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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