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1N4752DUR-1TRE3

更新时间： 2024-01-30 21:59:48

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		测试二极管
页数	文件大小	规格书
5页	141K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

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1N4752DUR-1TRE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-213AB
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.26
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AB
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	33 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	1%	工作测试电流：	7.5 mA
Base Number Matches：	1

1N4752DUR-1TRE3 数据手册

1N4728UR-1 thru 1N4764AUR-1,e3

(or MLL4728A-1 thru MLL4764A-1,e3)

METALLURGICALLY BONDED GLASS

SURFACE MOUNT 1.0 W ZENERS

S C O T T S D A L E D I V I S I O N

GRAPHS

STEADY-STATE POWER DERATING

T_EC

T_A

Temperature (^oC)

FIGURE 2

FIGURE 1

Power Derating Curve Where T_ECis End Cap Temp

and T_Ais Ambient Temperature on FR4 PC board.

PACKAGE DIMENSIONS

PAD LAYOUT

INCHES

MILLIMETERS

MIN MAX

2.39 2.66

INCHES

.276

DIM

MIN

MAX

0.105

0.205

0.022

7.00

1.8

0. 094

0. 189

0.016

0.070

0.110

4.80

0.41

5.20

0.55

2.8

10-18-2005 REV A

Microsemi

Page 3

Scottsdale Division

8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503

1 234 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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