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1N4712

更新时间: 2024-01-02 06:17:22
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
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1页 52K
描述
SILICON 250 mW ZENER DIODES

1N4712 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.62
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:28 V最大反向电流:0.01 µA
反向测试电压:21.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:0.05 mABase Number Matches:1

1N4712 数据手册

  

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