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1N4454/F3

更新时间： 2024-01-18 15:08:03

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威世 - VISHAY		开关二极管
页数	文件大小	规格书
2页	40K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN

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1N4454/F3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.45
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-204AH
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	0.5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.15 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4454/F3 数据手册

1N4454

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Small-Signal Diode

Reverse Voltage 100V

Forward Current 150mA

DO-204AH (DO-35 Glass)

Features

• Silicon Epitaxial Planar Diode

• Fast switching diode

Mechanical Data

Case: DO-35 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Packaging Codes/Options:

Dimensions in inches

and (millimeters)

F2/10K per Ammo tape (52mm), 50K/box

F3/10K per 13” reel (52mm tape), 50K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Reverse voltage

Peak reverse voltage

V_R

V_RM

100

Maximum average rectified current half wave rectification

I_F(AV)

150

with resistive load at T_amb= 25°C and f ≥ 50Hz⁽¹⁾

Surge forward current at t < 1s and T_j= 25°C

Maximum power dissipation at T_amb= 25°C⁽¹⁾

Thermal resistance junction to ambient air⁽¹⁾

Maximum junction temperature

I_FSM

P_tot

R_θJA

T_J

500

°C/W

°C

350

175

Storage temperature range

T_S

–65 to +175

°C

Electrical Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Maximum forward voltage drop at I_F= 10mA

V_F

–

1.0

Leakage current

at V_R= 50V

at V_R= 75V

100

µA

I_R

–

Reverse breakdown voltage tested with 100µA pulses

V_(BR)R

C_tot

100

–

Capacitance at V_F= V_R= 0V

–

Reverse recovery time

from I_F= 10mA to I_R= 1mA, V_R= 6V, R_L= 100Ω

t_rr

–

Rectification efficiency at f = 100MHz, V_RF= 2V

η_v

0.45

–

Note:

(1) Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature

Document Number 88110

13-May-02

www.vishay.com

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与1N4454/F3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4454_1	MICROSEMI	SWITCHING DIODE	获取价格
1N4454_11	MCC	400mW 75 Volt Silicon Epitaxial Diode	获取价格
1N4454_12	MCC	400mW 75 Volt Silicon Epitaxial Diode	获取价格
1N4454_15	GOOD-ARK	Small-Signal Diode Fast Switching Diode	获取价格
1N4454-1	NJSEMI	COMPUTER DIODES	获取价格
1N4454-1	MICROSEMI	COMPUTER DIODE	获取价格