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1N4148,143

更新时间： 2024-01-06 13:48:02
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 188K
描述
1N4148; 1N4448 - High-speed diodes AXIAL 2-Pin

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1N4148,143 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：AXIAL包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：6.95外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4148,143 数据手册

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NXP Semiconductors  
Product data sheet  
High-speed diodes  
1N4148; 1N4448  
LIMITING VALUES  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
100  
UNIT  
VRRM  
VR  
repetitive peak reverse voltage  
continuous reverse voltage  
continuous forward current  
repetitive peak forward current  
−
−
−
−
V
V
100  
200  
450  
IF  
see Fig.2; note 1  
mA  
mA  
IFRM  
IFSM  
non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to  
surge; see Fig.4  
t = 1 µs  
t = 1 ms  
t = 1 s  
−
−
−
−
4
A
1
A
0.5  
500  
+200  
200  
A
Ptot  
Tstg  
Tj  
total power dissipation  
storage temperature  
junction temperature  
Tamb = 25 °C; note 1  
mW  
°C  
°C  
−65  
−
Note  
1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board; lead length 10 mm.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VF  
see Fig.3  
1N4148  
1N4448  
IF = 10 mA  
−
1
V
IF = 5 mA  
0.62  
0.72  
1
V
IF = 100 mA  
−
V
IR  
reverse current  
VR = 20 V; see Fig.5  
VR = 20 V; Tj = 150 °C; see Fig.5  
VR = 20 V; Tj = 100 °C; see Fig.5  
f = 1 MHz; VR = 0 V; see Fig.6  
25  
50  
3
nA  
µA  
µA  
pF  
ns  
−
−
−
−
IR  
reverse current; 1N4448  
diode capacitance  
Cd  
trr  
4
reverse recovery time  
when switched from IF = 10 mA to  
IR = 60 mA; RL = 100 Ω;  
4
measured at IR = 1 mA; see Fig.7  
Vfr  
forward recovery voltage  
when switched from IF = 50 mA;  
−
2.5  
V
tr = 20 ns; see Fig.8  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
Rth(j-tp)  
PARAMETER  
CONDITIONS  
thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm  
thermal resistance from junction to ambient lead length 10 mm; note 1  
VALUE  
240  
UNIT  
K/W  
K/W  
Rth(j-a)  
350  
Note  
1. Device mounted on a printed-circuit board without metallization pad.  
2004 Aug 10  
3
 
 
1234567...10

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