是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | O-XALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.55 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-7 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 6.2 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 0.186 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N821-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated | |
1N821-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES | |
1N821 | MICROSEMI |
功能相似 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4012 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, Silicon, DO-4, | |
1N4013 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, Silicon, DO-4, | |
1N4014 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, Silicon, DO-4, | |
1N4015 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, Silicon, DO-4, | |
1N4016 | MCC |
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1.0 Amp Plastic Silicon Rectifier 1600 Volts | |
1N4016-AP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACK | |
1N4016-BP | MCC |
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暂无描述 | |
1N4022 | ETC |
获取价格 |
1.0 Ampere General Purpose Rectifiers | |
1N4044 | VISHAY |
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DIODE 275 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB, DO-9, 1 PIN, Rectifier Diode | |
1N4044 | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 50V V(RRM), Silicon, |