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1N4004S

更新时间： 2024-05-23 22:21:53
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星海 - CZSTARSEA /
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2页 23K
描述
A-405

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1N4004S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N4004S 数据手册

 浏览型号1N4004S的Datasheet PDF文件第2页 
1N4001S THRU 1N4007S  
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere  
A-405  
FEATURES  
The plastic package carries Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
Construction utilizes void-free  
molded plastic technique  
Low reverse leakage  
High forward surge current capability  
High temperature soldering guaranteed:  
260 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
MECHANICAL DATA  
Case: A-405 molded plastic body  
Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight:0.008 ounce, 0.23 grams  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
1N  
SYMBOLS  
UNITS  
4006S 4007S  
4001S 4002S 4003S 4004S 4005S  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200 400  
140 280  
200 400  
600  
420  
600  
800 1000  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
560  
700  
100  
800 1000  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
0.375”(9.5mm) lead length at TA=75 C  
Peak forward surge current  
I(AV)  
1.0  
A
IFSM  
30.0  
1.1  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
A
V
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
5.0  
50.0  
µ
A
TA=100 C  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
RθJA  
pF  
C/W  
C
15.0  
50.0  
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted  
STAR SEA  
DN:T05A03A0  
12

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