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1N4001-AP-HF

更新时间： 2024-02-28 05:32:00

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美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	160K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41,

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1N4001-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1N4001-AP-HF 数据手册

1N4001 thru 1N4007

M C C

Figure 1

Typical Forward Characteristics

Micro Commercial Components

Figure 2

Forward Derating Curve

1.2

1.0

Amps

25°C

.06

.04

Single Phase, Half Wave

60Hz Resistive or Inductive Load

100

125

150

175

°C

.02

.01

Average Forward Rectified Current - Amperesversus

Ambient Temperature -°C

1.4

1.0

1.2

Volts

Instantaneous Forward Current - Amperesversus

Instantaneous Forward Voltage - Volts

Figure 3

Junction Capacitance

100

T_J=25°C

400

1000

10 20

200

100

Volts

Junction Capacitance - pFversus

Reverse Voltage - Volts

www.mccsemi.com

2 of 4

Revision: F

2015/01/01

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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