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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.24 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 10 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3517AE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS P |
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| 1N3517BK | CENTRAL |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3517E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN |
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| 1N3517LEADFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N3517TR | CENTRAL |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N3517TR-RMCU | CENTRAL |
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Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N3518 | CENTRAL |
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Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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| 1N3518 | NJSEMI |
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Diode Zener Single 10V 5% 400mW 2-Pin DO-35 |
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| 1N3518 | HITACHI |
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Zener Diode, 10V V(Z), 20%, 0.4W |
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| 1N3518 | TI |
获取价格 |
10V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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