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1N3517E3

更新时间: 2024-11-26 19:39:27
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 93K
描述
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7, DO-7, 2 PIN

1N3517E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W标称参考电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:0.01 mA
Base Number Matches:1

1N3517E3 数据手册

  

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