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1N3016DUR-1E3

更新时间: 2024-01-05 05:51:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 238K
描述
Zener Diode

1N3016DUR-1E3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-213AB包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.23Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.8 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:1%工作测试电流:37 mA
Base Number Matches:1

1N3016DUR-1E3 数据手册

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