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1N2805B

更新时间: 2024-02-23 03:52:24
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试局域网
页数 文件大小 规格书
2页 120K
描述
SILICON 50 WATT ZENER DIODES

1N2805B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.72
其他特性:HIGH RELIABILITY, PD-CASE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:0.3 Ω
最大正向电压 (VF):1.5 VJEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:70 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:50 W标称参考电压:7.5 V
最大反向电流:75 µA反向测试电压:5 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:3.375 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:1700 mABase Number Matches:1

1N2805B 数据手册

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1N2805B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4564B MICROSEMI

完全替代

SILICON 50 WATT ZENER DIODES

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暂无描述
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