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1N1585

更新时间: 2024-09-29 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N1585 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.53Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:16 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:400 V
最大反向恢复时间:5 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N1585 数据手册

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1N1585 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N1126RA MICROSEMI

类似代替

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1
JAN1N1126A MICROSEMI

类似代替

Silicon Power Rectifier
1N1126RA MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N1585RE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N1586 MICROSEMI

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1N1586 CDIL

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Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 500V V(RRM)
1N1586E3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N1586R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 500V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
1N1587 NJSEMI

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