是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-5 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 5.17 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT | 应用: | HIGH POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.7 V | JEDEC-95代码: | DO-203AB |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 595 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 35 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
40HF10 | VISHAY |
功能相似 |
Standard Recovery Diodes, (Stud Version), 40 A | |
1N1192A | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1184_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER | |
1N1184A | ASI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN | |
1N1184A | NJSEMI |
获取价格 |
STUD MOUNTED POWER RECTIFIERS | |
1N1184A | VISHAY |
获取价格 |
Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A | |
1N1184A | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier | |
1N1184A | INFINEON |
获取价格 |
35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes | |
1N1184A | AMERICASEMI |
获取价格 |
DEVICE HIGH POWER STANDARD | |
1N1184APBF | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 PIN | |
1N1184APBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, | |
1N1184AR | AMERICASEMI |
获取价格 |
DEVICE HIGH POWER STANDARD |