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1SS81

更新时间： 2024-01-06 21:14:27

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KISEMICONDUCTOR		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
2页	171K
描述
SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

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1SS81 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.49
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	1 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	100 µA	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1SS81 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

1SS81

REVERSE VOLTAGE: 150 V

CURRENT: 200 mA

DO - 35(GLASS)

FEATURES

Glass sealed envelope. (MSD)

High reliability

MECHANICAL DATA

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.005 ounces, 0.14 grams

Case: DO-35, glass case

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

1SS81

UNITS

Reverse voltage

V_R

V_RM

P_d

150

200

400

625

Peak reverse voltage

Power dissipation

Peak forward current

(NOTE 1)

I_FM

Non-Repetitive peak forw ard surge current

I_FSM

1.0

(NOTE2)

200

Average forward current

Maximum instantaneous f orw ard voltage

@I_F=100mA

V_F

1.0

=150V

=200V

Maximumreverse current

@V_R

0.2

I_R

μA

100

at rated DC blocking voltage @V_R

Capacitance @V_R=0V,f=1MHz

Reverse recovery time

C_J

1.5

100

@I =I =30mA,I_rr=3mA,R_L=100

175

Junction temperature

- 65 ---- + 175

Storage temperature range

Notes:1.Reverse voltae in excess of peak reverse voltage may deteriorate electrical characteristic.

T_STG

2.Within 1s forward surge current.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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