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1N6165

更新时间: 2024-02-10 20:22:52
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VMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 213K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 69.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS PACKAGE-2

1N6165 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.75
Is Samacsys:N最小击穿电压:81.9 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6165 数据手册

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