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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.32 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压： | 64.6 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 51.7 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N6126AE3 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| 1N6126AP | DIGITRON | Transient Voltage Suppressor, Bi-directional (DO-41) |
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| 1N6126AUS | SENSITRON | Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
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| 1N6126AUS | SEMTECH | 500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6126AUS | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 51.7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| 1N6126AUSS | SENSITRON | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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