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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | E-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.44 | 最大击穿电压： | 21 V |
| 最小击穿电压： | 19 V | 击穿电压标称值： | 20 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大钳位电压： | 27.7 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | E-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ELLIPTICAL |
| 封装形式： | LONG FORM | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大重复峰值反向电压： | 15.2 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N6113AE3 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH |
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| 1N6113ASBM | NJSEMI | Diode TVS Single Bi-Dir 15.2V 500W 2-Pin SMD |
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| 1N6113AUS | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 15.2V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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| 1N6113AUS | SEMTECH | 500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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| 1N6113AUS | SENSITRON | Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
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| 1N6113AUSS | SENSITRON | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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