Datasheet > 1N5822

1N5822

更新时间： 2024-02-28 10:09:18

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N5822 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	1.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5822 数据手册

1N5820 THRU 1N5822

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Reverse Voltage - 20 to 40 Volts

Forward Current - 3.0 Amperes

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

DO-201AD

♦ Metal silicon junction, majority carrier conduction

♦ Low power loss, high efficiency

♦ High current capability, low forward voltage drop

♦ High surge capability

1.0 (25.4)

MIN.

♦ Guardring for overvoltage protection

♦ For use in low voltage, high frequency inverters,

free wheeling, and polarity protection applications

♦ High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3 kg) tension

0.210 (5.3)

0.190 (4.8)

DIA.

0.375 (9.5)

0.285 (7.2)

0.052 (1.32)

1.0 (25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-201AD molded plastic body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.048 (1.22)

DIA.

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Dimensions in inches and (millimeters)

Weight: 0.04 ounce, 1.12 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

V_RRM

V_RMS

V_DC

1N5820

1N5821

1N5822

UNITS

Volts

* Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

* Maximum DC blocking voltage

* Non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

* Maximum average forward rectified current

0.375" (9.5mm) lead length at T_L=95°C

I_(AV)

3.0

Amps

* Peak forward surge current, 8.3ms single

half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method) at T_L=75°C

I_FSM

80.0

* Maximum instantaneous forward voltage at 3.0 _{(NOTE 1)}

* Maximum instantaneous forward voltage at 9.4 _{(NOTE 1)}

V_F

0.475

0.850

0.500

0.900

0.525

0.950

Volts

* Maximum average reverse current at rated

DC blocking voltage _{(NOTE 1)}

T_A=25°C

I_R

2.0

T_A=100°C

20.0

Typical thermal resistance _{(NOTE 2)}

R_ΘJA

R_ΘJL

40.0

10.0

°C/W

°C

* Storage and operating junction temperature range

T_J, T_STG

-65 to +125

*JEDEC registered values

NOTES:

(1) Pulse test: 300µs pulse width, 1% duty cycle

(2) Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.500" (12.7mm) lead length with 2.5 x 2.5” (63.5 x 63.5mm)

copper pad

4/98

下载PDF

与1N5822相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5822/1-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
1N5822/23	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC	获取价格
1N5822/4E-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格
1N5822/4F	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC	获取价格
1N5822/4G	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC	获取价格
1N5822/4G-E3	VISHAY	DIODE 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5822

1N5822 技术参数

1N5822 数据手册

与1N5822相关器件

与1N5822相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N5822

1N5822 技术参数

1N5822 数据手册

与1N5822相关器件

与1N5822相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？