Datasheet > 1N4151

1N4151

更新时间： 2024-02-23 11:47:06

品牌	Logo	应用领域
DCCOM		二极管开关
页数	文件大小	规格书
2页	182K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF HIGH SPEED SWITCHING DIODES

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4151 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.61
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	75 V	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4151 数据手册

1N914

THRU

DC COMPONENTS CO., LTD.

RECTIFIER SPECIALISTS

4148 4454

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF HIGH SPEED SWITCHING DIODES

VOLTAGE RANGE -50 to 100 Volts

CURRENT - 0.075 to 0.2 Ampere

FEATURES

* Silicon epitaxial planar diodes

* Low power loss, high efficiency

* Low leakage

* Low forward voltage

* High speed switching

* High current capability

* High reliability

DO-34 / DO-35

MECHANICAL DATA

* Case: Glass sealed case

0.52Ø

* Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed

* Polarity: Color band denotes cathode end

* Mounting position: Any

25.0MIN

* Weight: 0.13 gram

2.0MAX

25.0MIN

DO-34 DO-35

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

2.9

MAX

4.2

MAX

Dimensions in millimeters

SYMBOL

1N914 1N4148 1N4150 1N4151 1N4154 1N4448 1N4454 UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum Average Rectified Current

Maximum Power Dissipation Tamb=25^oC

Maximum Forward Voltage

VRRM

100

150

500

100

150

500

V/mA

nA/V

200

500

150

500

150

500

150

500

Ptot

250

1.0/10 1.0/10 1.0/200 1.0/50 1.0/30 1.0/100 1.0/10

5000/75 5000/75 100/50 50/50 100/25 5000/75 100/10

Maximum Reverse Current

Maximum Reverse Recovery Time

Typical Junction Capacitance

trr

4.0

2.0

4.0

2.0

4.0

Operating and Storage Temperature Range

TJ,TSTG

-65 to + 200

^oC

NOTE: 1-1N914A, 1N914B IS SAME AS 1N914, EXCEPT DIFFERENT IN FORWARD VOLTAGE:

1N914A-1.0/20 V/mA

1N914B-1.0/100 V/mA

2.Suffix "M" stands for "DO-34" package.(e.g.:1N4148M)

EXIT

下载PDF

与1N4151相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4151.TR	TI	75V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
1N4151.TR	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN	获取价格
1N4151/D7	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN	获取价格
1N4151/D8	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN	获取价格
1N4151/F2	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN	获取价格
1N4151_07	VISHAY	Small Signal Fast Switching Diodes	获取价格