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18N40L-T47-T

更新时间： 2024-01-07 07:25:33

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描述
400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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18N40L-T47-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

18N40L-T47-T 数据手册

18N40

Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

Drain-Source On-State Resistance

Characteristics

Drain Current vs. Source to Drain Voltage

V_GS=10V,

I_D=9.0A

200

400

600

1000

1.0

1.5

2.0

800

0.5

Drain to Source Voltage, V_DS(V)

Source to Drain Voltage,V_SD(mV)

Drain Current vs. Drain-Source

Breakdown Voltage

Drain Current vs. Gate Threshold Voltage

300

250

200

150

300

250

200

150

100

200

300

400

500

Gate Threshold Voltage,V_TH(V)

Drain-Source Breakdown Voltage,BV_DSS(V)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
18N40L-TA3-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40L-TF1-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40L-TF2-T	UTC	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N-40M	APITECH	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE	获取价格
18N-4F	APITECH	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE	获取价格
18N-4M	APITECH	Fixed Attenuator, 0MHz Min, 18000MHz Max, ROHS COMPLIANT PACKAGE	获取价格