Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 18N40G-T47-T

18N40G-T47-T

更新时间： 2024-02-26 20:26:31

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	140K
描述
400V N-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

18N40G-T47-T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

18N40G-T47-T 数据手册

18N40

Power MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C=25°С, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

RATINGS

400

±30

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous

Pulsed

Drain Current

I_DM

Avalanche Current

Avalanche Energy

I_AR

Single Pulsed

Repetitive

E_AS

1000

V/ns

E_AR

dv/dt

P_D

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation

360

150

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

°С

T_STG

-55 ~ +150

°С

Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

THERMAL DATA

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

0.35

UNIT

Junction to Case

θ_JC

°С/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_J=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Drain-Source Leakage Current

Gate-Body Leakage Current

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

Static Drain-Source On-Resistance

DYNAMIC PARAMETERS

Input Capacitance

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

400

2.0

V_DS=400V, V_GS=0V

V_DS=0V, V_GS=±30V

µA

I_GSS

±100

V_GS(TH)

R_DS(ON)

V_DS=V_GS, I_D=250µA

4.0

V_GS=10V, I_D=9A (Note)

200

mΩ

C_ISS

C_OSS

C_RSS

2500

280

V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

SWITCHING PARAMETERS

Total Gate Charge

Q_G

Q_GS

Q_GD

t_D(ON)

t_R

V_GS=10V, V_DS=0.5V_DSS

Gate Source Charge

I_D=18A, R_G=5ꢀ (External)

Gate Drain Charge

Turn-ON Delay Time

Turn-ON Rise Time

V_GS=10V, V_DS=0.5V_DSS

I_D=9A

Turn-OFF Delay Time

t_D(OFF)

t_F

Turn-OFF Fall-Time

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

V_SD

I_F=I_S,V_GS=0V (Note)

1.5

I_S

V_GS=0V

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

I_SM

Repetitive

Reverse Recovery Time

t_RR

V_GS=0V, dI_F/dt=100A/µs,

I_S=18A, V_R=100V

200

Reverse Recovery Charge

Q_RR

0.8

µC

Note: Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

www.unisonic.com.tw

2 of 3

QW-R502-389.A

123

下载PDF

与18N40G-T47-T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
18N40G-TA3-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40G-TF1-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40G-TF2-T	UTC	N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40L-T47-T	UTC	400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40L-TA3-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
18N40L-TF1-T	UTC	18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

18N40G-T47-T

18N40G-T47-T 技术参数

18N40G-T47-T 数据手册

与18N40G-T47-T相关器件

与18N40G-T47-T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

18N40G-T47-T

18N40G-T47-T 技术参数

18N40G-T47-T 数据手册

与18N40G-T47-T相关器件

与18N40G-T47-T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？