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185T2A

更新时间： 2024-01-09 21:10:57

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	168K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3

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185T2A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	87.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

185T2A 数据手册

BDY26, 183 T2

BDY27, 184 T2

BDY28, 185 T2

Test Condition(s)

BDY26, 183T2

Symbol

V_CE(SAT)

Ratings

Min Typ Mx Unit

Collector-Emitter saturation

Voltage (*)

I_C=2.0 A, I_B=0.25 A

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

0.6

I_C=2.0 A, I_B=0.25 A

V_BE(SAT)

Base-Emitter Voltage (*)

1.2

BDY28, 185T2

V_CE=4 V, I_C=1 A

V_CE=4 V, I_C=2 A

Static Forward Current

transfer ratio (*)

h_21E

82 100

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

V_CE=15 V, I_C=0.5 A,

f=10 MHz

f_T

Transition Frequency

Turn-on time

MHz

µs

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

I_C=5 A,

I_B=1 A

t_d+ t_r

t_s+ t_f

0.3 0.5

1.5 2.0

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

I_C=5 A,

I_B1=1 A,

I_B2=-0.5 A

Turn-off time

µs

(*) Pulse Width ≈ 300 µs, Duty Cycle 2.0%

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

3/4

1 234

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与185T2A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
185T2B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
185T2C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
18-5XXX	ETC	Hercules Encoder Accessories	获取价格
186	RCD	Silicone Coated 1/2W - 50W	获取价格
186 CPNT	VISHAY	Conductive Polymer Aluminum Capacitors SMD (Chip), Low Impedance, High Temperature	获取价格
1860	MACOM	Farnell Technical Data Services	获取价格