Datasheet > 185T2A

185T2A

更新时间： 2024-01-28 12:41:15

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

185T2A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	87.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

185T2A 数据手册

BDY26, 183 T2

BDY27, 184 T2

BDY28, 185 T2

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

R_thJ-C

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Test Condition(s)

Symbol

V_CEO(BR)

Ratings

Min Typ Mx Unit

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

180

200

250

220

Collector-Emitter

Breakdown Voltage (*)

I_C=50 mA, I_B=0

BDY28A, 185T2A

BDY28B, 185T2B

BDY28C, 185T2C

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

300

400

Collector-Base Breakdown

Voltage (*)

I_C=3 mA

V_(BR)CBO

BDY28, 185T2

BDY26

BDY27

500

V_CE=180 V

V_CE=200 V

V_CE=250 V

Collector-Emitter Cutoff

Current

I_CEO

1.0

BDY28

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

V_EB=10 V

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_CE=250 V

V_BE=0 V

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

Collector-Emitter Cutoff

Current

V_CE=300 V

V_BE=0 V

I_CES

1.0

V_CE=400 V

V_BE=0 V

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

2/4

123 4

下载PDF

与185T2A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
185T2B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
185T2C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
18-5XXX	ETC	Hercules Encoder Accessories	获取价格
186	RCD	Silicone Coated 1/2W - 50W	获取价格
186 CPNT	VISHAY	Conductive Polymer Aluminum Capacitors SMD (Chip), Low Impedance, High Temperature	获取价格
1860	MACOM	Farnell Technical Data Services	获取价格