Datasheet > 185T2A

185T2A

更新时间： 2024-02-15 11:11:54

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	168K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

185T2A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	75	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	87.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

185T2A 数据手册

BDY26, 183 T2

BDY27, 184 T2

BDY28, 185 T2

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

LF Large Signal Power Amplification

High Current Fast Switching

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

180

200

250

300

400

500

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_EBO

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

I_C

I_B

P_TOT

Power Dissipation

@ T_C= 25°

87.5

Watts

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

BDY26, 183T2

BDY27, 184T2

BDY28, 185T2

200

-65 to +200

°C

T_Stg

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

1/4

12 3 4

下载PDF

与185T2A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
185T2B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
185T2C	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 250V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3	获取价格
18-5XXX	ETC	Hercules Encoder Accessories	获取价格
186	RCD	Silicone Coated 1/2W - 50W	获取价格
186 CPNT	VISHAY	Conductive Polymer Aluminum Capacitors SMD (Chip), Low Impedance, High Temperature	获取价格
1860	MACOM	Farnell Technical Data Services	获取价格