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180T2C

更新时间： 2024-02-20 17:34:38

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	158K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-3

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180T2C 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

180T2C 数据手册

BDY23, 180 T2

BDY24, 181 T2

BDY25, 182 T2

NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA

LF Large Signal Power Amplification

High Current Fast Switching

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 182T2

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 182T2

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 182T2

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 182T2

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 181T2

BDY23, 180T2

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

140

Collector-Base Voltage

V_CBO

100

200

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

V_EBO

I_C

I_B

Power Dissipation

@ T_C= 25° BDY24, 181T2

P_TOT

87.5

Watts

BDY25, 182T2

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

BDY23, 180T2

BDY24, 181T2

BDY25, 182T2

200

°C

-65 to +200

T_Stg

COMSET SEMICONDUCTORS

1/4

12 3 4

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180USC1000MEFCSN25X40	RUBYCON	获取价格	Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 180V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000
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