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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> 16RIA140S90
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16RIA140S90

更新时间： 2024-01-24 02:28:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
9页 229K
描述
MEDIUM POWER THYRISTORS

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16RIA140S90 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-48
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.17其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：60 mA
JEDEC-95代码：TO-208AAJESD-30 代码：O-MUPM-D2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：35 A
断态重复峰值电压：1400 V重复峰值反向电压：1400 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

16RIA140S90 数据手册

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16RIA Series  
Bulletin I2404 rev. A 07/00  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VDRM/VRRM, max. repetitive  
VRSM , maximum non-  
IDRM/IRRM max.  
Type number  
16RIA  
peak and off-state voltage (1)  
repetitive peak voltage (2)  
@ T = TJ max.  
V
100  
200  
400  
600  
V
150  
300  
500  
700  
J mA  
10  
20  
40  
60  
80  
20  
10  
800  
900  
100  
120  
140  
160  
1000  
1200  
1400  
1600  
1100  
1300  
1500  
1700  
(1) Units may be broken over non-repetitively in the off-state direction without damage, if dI/dt does not exceed 20A/µs  
(2) For voltage pulses with tp ≤ 5ms  
On-state Conduction  
16RIA  
Parameter  
Units Conditions  
10to120 140to160  
IT(AV)  
Max. average on-state current  
@ Case temperature  
16  
85  
16  
85  
A
°C  
180° sinusoidal conduction  
IT(RMS) Max. RMS on-state current  
35  
340  
360  
285  
300  
574  
524  
405  
375  
5740  
0.97  
35  
225  
235  
190  
200  
255  
235  
180  
165  
2550  
1.14  
A
A
ITSM  
Max. peak, one-cycle  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
100% VRRM  
reapplied  
No voltage  
reapplied  
100% VRRM  
reapplied  
non-repetitive surge current  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
A2s  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
A2√s  
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied, TJ = TJ max.  
VT(TO)1 Low level value of threshold  
voltage  
V
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
VT(TO) High level value of threshold  
1.24  
17.9  
13.6  
1.31  
14.83  
12.03  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
2
voltage  
rt1  
rt2  
Low level value of on-state  
slope resistance  
High level value of on-state  
slope resistance  
mΩ  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
VTM  
Max. on-state voltage  
1.75  
---  
---  
V
I = 50 A, TJ = 25°C  
pk  
1.80  
IH  
IL  
Maximum holding current  
Latching current  
130  
200  
mA  
TJ = 25°C. Anode supply 6V, resistive load,  
www.irf.com  
2
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
16RIA140S90PBF VISHAY Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

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