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16RIA100S90PBF

更新时间： 2024-02-09 02:41:29

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		栅极
页数	文件大小	规格书
8页	152K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, 2 PIN

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16RIA100S90PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-48
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	60 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

16RIA100S90PBF 数据手册

16RIA Series

Medium Power Thyristors

(Stud Version), 16 A

Vishay High Power Products

1000

16RIA Series

100

T = 25°C

T = 125°C

0.5

1.5

2.5

3.5

Instantaneous On-state Voltage (V)

Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics

Steady State Value

= 1.15 K/W

thJC

(DCOperation)

0.1

0.01

16RIA Series

0.001

0.01

0.1

Square Wave Pulse Duration (s)

Fig. 8 - Thermal Impedance Z_thJCCharacteristics

100

Rectangular gate pulse

(1) PGM = 16W, tp = 4ms

(2) PGM = 30W, tp = 2ms

(3) PGM = 60W, tp = 1ms

(4) PGM = 60W, tp = 1ms

a) Recommended load line for

rated di/dt : 10V, 20ohms

tr <=0.5 µs, tp >= 6 µs

b) Recommended load line for

<=30%rated di/dt : 10V, 65ohms

tr<=1 µs, tp >= 6 µs

(a)

(b)

(4)

(3)

(2)

(1)

VGD

IGD

16RIA Series Frequency Limited by PG(AV)

0.1

0.001

0.01

0.1

100

Instantaneous Gate Current (A)

Fig. 9 - Gate Characteristics

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93695

Revision: 19-Sep-08

1...3 4 567 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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