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15N06L-TN3-R

更新时间: 2024-02-11 15:21:05
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友顺 - UTC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 240K
描述
15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

15N06L-TN3-R 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65Is Samacsys:N
Base Number Matches:1

15N06L-TN3-R 数据手册

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15N06  
Power MOSFET  
„
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS  
+
D.U.T.  
VDS  
-
+
-
L
RG  
Driver  
VDD  
* dv/dt controlled by RG  
* ISD controlled by pulse period  
* D.U.T.-Device Under Test  
Same Type  
as D.U.T.  
VGS  
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit  
P. W.  
Period  
VGS  
(Driver)  
Period  
D=  
P.W.  
10V  
=
VGS  
IFM, Body Diode Forward Current  
ISD  
(D.U.T.)  
di/dt  
IRM  
Body Diode Reverse Current  
Body Diode Recovery dv/dt  
VDS  
VDD  
(D.U.T.)  
Body Diode  
Forward Voltage Drop  
Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
4 of 6  
QW-R502-260.D  
www.unisonic.com.tw  

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