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15N06L-TA3-T

更新时间： 2024-02-25 03:17:21

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6页	240K
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15A, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET

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15N06L-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

15N06L-TA3-T 数据手册

15N06

Power MOSFET

TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS

D.U.T.

V_DS

R_G

Driver

V_DD

* dv/dt controlled by R_G

* I_SDcontrolled by pulse period

* D.U.T.-Device Under Test

Same Type

as D.U.T.

V_GS

Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit

P. W.

Period

V_GS

(Driver)

Period

P.W.

10V

V_GS

I_FM, Body Diode Forward Current

I_SD

(D.U.T.)

di/dt

I_RM

Body Diode Reverse Current

Body Diode Recovery dv/dt

V_DS

V_DD

(D.U.T.)

Body Diode

Forward Voltage Drop

Peak Diode Recovery dv/dt Waveforms

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

4 of 6

QW-R502-260.D

www.unisonic.com.tw

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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