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15KP110A

更新时间： 2024-02-02 07:48:40

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强茂 - PANJIT		二极管
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描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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15KP110A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-XALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	最小击穿电压：	122 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	15000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	6 W
最大重复峰值反向电压：	110 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

15KP110A 数据手册

DATA SHEET

15KP SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

P-600

Unit: inch(mm)

POWER

15000 Watts

VOLTAGE

FEATURES

17 to 220 Volts

• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O

• Glass passivated chip junction in P-600 package

• 15000W Peak Pulse Power capability on 10/1000µs waveform

• Excellent clamping capability

.052(1.3)

.048(1.2)

• Low incremental surge resistance

• Both normal and Pb free product are available :

Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb

Pb free: 98.5% Sn above

.360(9.1)

.340(8.6)

MECHANICALDATA

Case: JEDEC P-600 Molded plastic

Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Polarity: Color band denotes positive end (cathode )

Mounting Position: Any

Weight: 0.07 ounce, 2.1 gram

DEVICESFORBIPOLARAPPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUMRATINGSANDCHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Symbol

Value

Units

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000s waveform ( Note 1)

PPM

15000

Watts

Peak Pulse Current on 10/1000s waveform ( Note 1)

PPM

SEE TABLE 1

Amps

^OC

Steady State Power Dissipation at T

=50^OC Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

M(AV)

FSM

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed

on Rated Load(JECED Method) (Note 3)

400

Operating Junction and Storage Temperature Range

,TSTG

-55 to +175

NOTES:

1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A=25°Cper Fig. 2.Mounted on Copper Leaf area of 0.79 in²(20mm²).

3.8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

PAGE . 1

STAD-JUN.23.2004

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
15KP110A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D
15KP110A-2	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLASTIC, CASE
15KP110A-5R	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
15KP110A-AP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
15KP110AB	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
15KP110A-B	MCC	获取价格	Transient Suppressor,
15KP110AB-2	CRYDOM	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
15KP110AB-2	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
15KP110A-BP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
15KP110A-BP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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