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150K120

更新时间： 2024-01-03 22:33:21

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NAINA		二极管
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1页	85K
描述
SILICON POWER DIODE

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150K120 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-MUPM-H1	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-205AA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H1	最大非重复峰值正向电流：	3140 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	150 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

150K120 数据手册

45L/150K

NAINA

SILICON POWER DIODE

DO - 8

FEATURES

•

Diffused Series

Available in Normal & Reverse Polarity

Industrial Grade

Available In Avalanche Characteristic

ELECTRICALSPECIFICATIONS

I_F

Maximum Average Forward

Current Te=150⁰C

150A

1.4V

V_FM

I_FSM

I_FRM

Maximum peak forward

voltage drop @ Rated IF(AV)

Maximum peak one cycle

(non-rep) surge current 10 m sec

Maximum peak repetitive

surge current

3570A

750A

I²t

Maximum I²t rating (non-rep.) for

5 to 10 msec.

64,000 A Sec

THERMALMECHANICALSPECIFICATIONS

θ_JC

Tstg

Maximum thermal resistance Junction to case

0.25⁰C/W

Operating Junction Temp.

Storage temperature

Mounting torque

(Non-lubricated threads)

Approx, weight

-65⁰C to 150⁰C

-65⁰C to 200⁰C

2.0 M-kg min,

3.0 M-kg max

150 gms.

ELECTRICALRATINGS

TYPE

V_RRM

45L/150K

Max. repetitive peak reverse

voltage (v)

100

120

140

160

100

200 400 600

140 280 420

200 400 600

800 1000

1200 1400 1600

V_R(RMS) Max. R.M.S. reverse voltage (V) 70

560

700

840

980 1120

V_R

Max. D.C. Blocking Voltage (V) 100

800 1000

1200 1400 1600

Recommended R.M.S. working

160 240

320

200

400

200

480

200

560

200

640

200

Voltage(v)

I_R(AV)

Max. Average reverse leakage

200

200 200 200

current @ VRRM Tc 25⁰C (uA)

NAINA SEMICONDUCTOR LTD.,

D-95,SECTOR-63, NOIDA(INDIA)

e-mail:sales@nainasemi.com, web site:www.nainasemi.com

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