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14N70-TC

更新时间： 2023-12-06 20:11:40

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14N70-TC 数据手册

14N70-TC

Power MOSFET



ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

V_DSS

V_GSS

I_D

RATINGS

700

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±30

Continuous

Drain Current

Pulsed (Note 2)

Single Pulsed (Note 3)

I_DM

Avalanche Energy

E_AS

198

V/ns

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4)

dv/dt

2.35

TO-220

150

Power Dissipation

P_D

TO-220F/TO-220F1

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

+150

-55 ~ +150

°C

T_STG

Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.

Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature.

3. L = 10mH, I_AS= 6.3A, V_DD= 50V, R_G= 25Ω, Starting T_J= 25°C

4. I_SD≤ 14A, di/dt ≤200A/s, V_DD≤BV_DSSStarting T_J= 25°C



THERMAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

62.5

UNIT

°C/W

Junction to Ambient

θ_JA

TO-220

0.83

Junction to Case

θ_JC

TO-220F/TO-220F1

3.37

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

3 of 9

QW-R205-538.A

www.unisonic.com.tw

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